3月19日消息，据法媒ECInews报道，欧洲先进FD-SOI中试线（技术试点线）项目FAMES当地时间18日正式宣布对外公开征集计划采用10nm、7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。

FAMES项目的协调员Dominique Noguet表示基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片预计将于2027年推出。该制程节点将采用193nm ArFi DUV光刻机，采用SADP自对准双重曝光实现。

FAMES中试线将提供用于先进FD-SOI节点的性能评估PDK（IT之家注：工艺设计套件），以及用于测试设计的MPW多项目晶圆用PDK。

除逻辑制程外，FAMES中试线也关注配套的片上嵌入式NVM非易失性存储。FAMES牵头方法国CEA-Leti研究所已成功制得OxRAM（氧化物基阻变存储器）样品，正在关注FRAM/FeFET（铁电存储器）和MRAM（磁性存储器）。