随着人工智能（AI）和深度学习技术的快速发展，对高性能计算的需求日益增加。近日，据韩媒报道称，在下一代高带宽内存上，SK海力士将计划在HBM4内存中采用台积电的3nm工艺来制造基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。

这一举措旨在提升AI半导体的运行效率，并支持客户定制电路，从而进一步增强HBM4内存的性能和功能。

据悉，SK海力士标准款HBM4将继续采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则从5nm升级至3nm。此前，SK海力士在定制HBM4上采用5纳米，若升级至更先进的3nm工艺，基础裸片有望提升20%~30%的性能。这种工艺选择使得SK海力士能够根据不同客户的需求提供定制化的解决方案。

SK海力士在HBM4上将对基础裸片的称呼已经从DRAM Base Die调整为Logic Base Die，强调了基础裸片愈发重要的逻辑功能。这意味着HBM4时代的基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺，并支持客户定制电路，从而提升了整体系统的运行效率。

目前，英伟达作为全球AI芯片市场的主导者，占据了超过80%的市场份额，其新一代GPU需要更大容量、更低能耗的内存支持，而HBM4芯片正好满足这些需求。HBM4芯片采用先进制造工艺，提供更高的数据传输速率和更低功耗，其带宽比HBM3提升近50%，达到每秒1024GB，适用于人工智能、深度学习和高端游戏等场景。

不过，HBM4芯片的产能短缺已成为限制英伟达增长的一个瓶颈。近期，英伟达CEO黄仁勋曾要求SK海力士提前六个月供应HBM4芯片。此外，特斯拉最近也向SK海力士和三星电子表达采购HBM4的意向，用于正在开发的AI数据中心及其自动驾驶汽车。而微软、Meta向三星电子采购定制HBM4芯片。

除了SK海力士，三星和美光等竞争对手也在逐步扩大市场份额。SK海力士计划在2025年下半年推出首批HBM4产品，与三星电子的时间表大致相同。据悉，三星电子的HBM4基础裸片将导入4nm制程。

摩根士丹利预测，全球HBM市场规模有望从2023年的40亿美元增长至2027年的330亿美元。