尽管作为下一代HBM技术，HBM4在各大存储芯片巨头技术路线图里已有相关的时间表，但在AI终端需求的拉动下，其量产的时间被进一步提前。

近日消息，三星电子和SK海力士正在为特斯拉开发第六代高带宽存储器（HBM4）芯片原型。预计在测试样品后，特斯拉将选择其中一家作为其HBM4供应商。

HBM4通过扩展内存接口宽度至2048位，并采用更密集的堆叠技术，具有更高的传输带宽、更高的存储密度、更低的功耗以及更小的尺寸。相较于HBM3，HBM4的带宽提升了约50%，达到了每秒1024GB的传输速度，这使得它能够更好地满足AI训练和推理对带宽的苛刻要求。

从应用来看，HBM4技术特别适用于需要高带宽和低延迟的应用场景，如图形处理器（GPU）、深度学习、自动驾驶、视频分析等。这些应用领域将受益于HBM4带来的性能提升和能效优化。

据悉，HBM4将用于特斯拉正在开发的AI数据中心及其自动驾驶汽车。其中，特斯拉采购HBM4芯片将用于强化其超级电脑Dojo的性能。而Dojo超级电脑是特斯拉用于自动驾驶技术开发和训练的重要工具，需要高存储器带宽来处理大量的数据和复杂的计算任务。

不过，特斯拉将比较三星电子和SK海力士的样品性能之后，才会决定主要供应商。目前特斯拉汽车主要配备了HBM2E芯片。

根据规划，SK海力士正在开发16层堆叠的HBM4内存，并计划于2025年量产。该公司与台积电合作，使用台积电的5纳米工艺来创建HBM4封装底部的基底芯片。SK海力士还计划引入混合键合技术以减少存储芯片堆叠缝隙的高度，从而实现更多层数的堆叠。

而三星电子已经成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，并计划将该技术用于HBM4内存量产。三星计划在明年下半年量产12层HBM4堆叠。

值得一提的是，SK海力士董事长崔泰源近期也表示，英伟达要求提前六个月交付下一代HBM4芯片，SK海力士有望在2025年下半年向客户供应HBM4芯片。